Samsung запустил в серию свою 128 ГБ флеш-память по технологии 10нм

untitled-1Достижения в области флеш-памяти обычно касаются трех важных характеристик и нам сообщают, что что-то новое  быстрее, меньше, высокая плотность. Улучши одну из этих характеристик, и вы получите великолепную базу для хорошего чипа. Samsung сосредотачивается на последнем — плотности — и анонсирует серийное производство своей Samsung 128Gb NAND — 10нм-вой 128-ми гигабитной три-бит-многоуровневой ячеечной — флеш памяти. Это длинное название означает, что флеш-чипы с большим объемом памяти на ячейку, но в меньшем форм-факторе. Компания планирует  поставлять больше на рынок карт-памяти по новой технологии.

Samsung, напомним, начал производить 64ГБ флеш-память по технологии 10nm в ноябре прошлого года. И вот прошло всего 5 месяцев и компания добавила намного продуктивнее — более чем в 2 раза ее 20нм чипа на 64 ГБ — 128ГБ MLC NAND флеш-память.

Samsung говорит, что новый чип совместим с 400Mbps и утверждает, что это самая высокая плотность в индустрии. Новый кремний будет использоваться для расширения поставок 128ГБ флеш карт памяти и увеличения объема в твердотельных накопителях. Это вполне может быть лучшей частью для девайсов со встроенной NAND памятью, которую Samsung надеется сохранить конкурентоспособной.

Похожие статьи
Добавить комментарий
Войти/Зарегистрироваться

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *